但研究發現表面雜質濃度過高導致擴散區能帶收縮、晶格畸變、缺陷增加、“死層”明顯、電池短波響應差。PN結技術是國際一流電池制造企業與國內電池企業的主要技術差距。為了在提高電池的填充因子的同時避免表面“死層”，選擇性擴散發射極電池技術是最有望獲得產業化生產的低成本革命性高效電池技術，其技術原理簡單且通過現有裝備已經在實驗室實現，但如何降低制造成本是該技術產業化過程中所面臨的主要挑戰。目前國內某些大公司對外宣傳的超過17.6%以上的高效電池其技術核心均來源于此，相信隨著配套裝備與輔助材料的及時解決近二年內將會迅速普及與推廣。

　　在制造工藝上采用氮氣攜帶三氯氧磷管式高溫擴散是目前主流生產技術，其特點是產量大、工藝成熟操作簡單。隨著電池向大尺寸、超薄化方向發展以及低的表面雜質濃度（表面方塊電阻80～120Ω／口、均勻性±3%以內），減壓擴散技術（LYDOP）優勢非常明顯，工藝中低的雜質源飽和蒸氣壓、提高了雜質的分子自由程，它對156尺寸的硅片每批次產量400片的情況下其擴散均勻性仍優于±3%，是高品質擴散的首選與環境友好型的生產方式。鏈式擴散設備不僅適應Inline自動化生產方式，而且處理硅片尺寸幾乎不受限制、碎片率大大降低而迅速受到重視，其工藝有噴涂磷酸水溶液擴散與絲網印刷磷漿料擴散二種。在鏈式擴散技術上，BTU、SCHMID以及中電集團第48所均已有長時間的研究及??會取代目前管式擴散成為主流生產裝備與技術。

　　1.3去邊技術

　　產業化的周邊PN結去除方式是等離子體干法刻蝕，該方法技術成熟、產量大，但存在過刻、鉆刻及不均勻的現象，不僅影響電池的轉換效率，而且導致電池片蹦邊、色差與缺角等不良率上升。激光開槽隔離技術根據PN結深度而在硅片邊緣開一物理隔離槽，但與國外情況相反，據國內使用情況來看電池效率反而不及等離子體刻蝕技術，因此該方法有待進一步研究。目前行業出現的另外一種技術——化學腐蝕去邊與背面腐蝕拋光技術集刻蝕與去PSG一體，背面絨面的拋光極大降低了入射光的透射損失、提高電池紅光響應。該方法工藝簡單、易于實現inline自動化生產，不存在“鉆刻”與刻蝕不均勻現象，工藝相對穩定，因此盡管配套設備昂貴但仍引起業內廣泛關注。

　　1.4表面減反射膜生長技術

　　早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對入射光的吸收，但該方法均需先單獨采用熱氧化方法生長一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對多晶效果不理想。

　　SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對硅的腐蝕抑制Ag的擴散速度從而使后續快燒工藝溫度范圍更寬易于調節，而且致密的SixNy膜層是有害雜質良好的阻擋層。同時生成的氫原子對硅片具有表面鈍化與體鈍化的雙重作用，可以很好地修復硅中的位錯、表面懸掛鍵，提高了硅片中載流子的遷移率因而迅速成為高效電池生產的主流技術。雙層SiN減反射膜，通過控制各膜層中硅的富集率實現了5.5%[4]的反射率；而另一種SiN與SiO混合膜，其反射率更是低至4.4%，目前廣泛采用的單層SiN膜減反射率最優為10.4%。

　　在電池背面生長一層10～30nmSiN膜以期最大限度對電池進行鈍化與缺陷的修復從而提高電池的效率是目前的一個熱點課題，由于該技術牽涉到與后面的絲網印刷技術、電極漿料技術及燒結工藝的配合目前尚處于實驗研究階段，但它肯定是今后的一個發展趨勢。

　　匹配封裝材料對光譜的折射率定制減反射膜以獲得最佳的實際使用效果是光伏企業技術實力的體現！如何減少電磁波對電池表面PN結輻射損傷以及損傷的有效修復是該工藝的核心技術，處理不好往往導致電池效率一致性較差。裝備方面有連續式間接HF-PECVD、管式直接LF-PECVD。

　　1.5絲網印刷與金屬漿料技術

　　絲網印刷技術是低成本太陽能電池產業化生產的關鍵技術，其主要技術進步與電極漿料及網版制版技術緊密相聯。電極漿料技術進步是提升電池效率的捷徑，也是一些實驗室技術向產業化轉換的關鍵。根據電池表面擴散薄層方塊電阻、擴散結深以及表面減反射膜厚度與密度等開發相對應的漿料已經成為國際一流光伏企業領先同行的一個有力武器：如摻P的正銀漿料實現低成本的選擇性發射極技術；向漿料中添加添加劑實現80～100um細柵技術；配合超薄片的低翹曲背鋁漿料等等。

　　硅片厚度不斷減薄、電池面積不斷增大，如何降低碎片率與電池片的翹曲度成為設備制造廠商與電池制造企業共同關注的焦點問題。設備方面已經出現能適應120um厚度硅片的全自動印刷設備。

　　2、存在的問題

　　工藝方面：盡管太陽能電池制造是一個短工藝生產流程，光伏技術與檢測手段也有了長足的發展，但太陽能電池工藝還不能處于完全受控的狀態。我們無法從電池的不合理電參數來準確判斷問題具體所在，對每一工序質量也還沒有完全行之有效的檢測方法與手段，在線檢測技術遠落后于工藝技術的發展！

　　設備方面：目前國內外各制造廠商設備缺乏統一接口標準，導致上下道工序之間無法有效銜接，導致較大的時間與資源浪費！物化新工藝的裝備滯后于市場的發展！

　　原材料方面：原材料市場特別是硅片質量良莠不齊，許多企業缺乏自律性，導致我國光伏產品質量不穩定，行業缺乏統一權威標準與準入制度。

　　3、發展展望

　　以硅片為載體的光伏電池制造技術，其理論極限效率為29％。近年來由于一系列新技術的突破，硅太陽能電池轉換效率產業化水平單晶16%～18％、多晶15%～17％，按目前的晶體硅電池效率路線圖與電池技術，提升效率的難度已經非常大。因此有人預言硅電池的市場生命周期，但產品市場生命力的決定因素是其性價比，就如半導體集成電路一樣近一個世紀了仍然離不開硅基，晶體硅太陽能電池作為光伏發電主要材料的現狀不會改變，市場主導地位將繼續延續！其特征將會是向著高效率、大尺寸、超薄化、長壽命方向發展。隨著我們對半導體材料與光伏技術研究的不斷深入，必將會不斷誕生一些突破性的技術來巔覆傳統、提升太陽能電池的效率、降低系統發電成本，實現光伏發電從補充能源向主流能源的躍進！只是以前這些技術都由國外企業與機構產生。可以預見通過中國廣大“光伏人”的努力，今后這些革命性的技術突破將會在我們中國本土企業與科研機構中產生！