IBM微電子公司的研究人員近日開發出了一種使用銅線的CMOS成像器。目前鋁互連是圖像傳感器中所通用的，因為這些工藝都是基于老式的基本原理不嚴格的技術節點，一般是0.18微米工藝，有的甚至不止0.18微米。 在此次國際電子設備大會上研究人員表示，銅互連對于微電子領域的優點，同樣適用于圖像傳感器。

　　銅互聯技術以兩種方式提高了像素性能：第一，它減少了層間電介質所需的拋光，改進了光路徑的統一；第二，它降低了金屬厚度，使光路徑變得更薄。研究人員在這個CMOS成像器中采用了一個四晶體管共享像素架構。他們穿透了光電晶體管上的整個電介質層，并在表面鍍上一層硅氮化物，形成了一個光導管，接著往這個光導管里添加了一個有機平面層。

　　為了測試光導管旁邊的銅線的可靠性，他們創建了一個疊孔結構，對其進行了一次加速的濕度測試（130攝氏度，相對濕度85％）并觀察介層電阻的改變，最后通過測量光導管的量子效率來衡量其光學性能。

　　研究人員發現，如果能更好地控制光導管和相鄰銅線的間距，銅互連可靠性還能夠進一步提高。此外，他們還在一個220萬像素成像器上達到了所有主要顏色（紅、藍、綠），量子效率都 高于35％的效果。